為了避免由于大規(guī)模集成電路中布線之間距離慢慢縮短導(dǎo)致的傳輸信號(hào)延遲與損耗,，非常有必要降低絕緣薄膜材料要求必須具有低的介電常數(shù)。

聚酰亞胺(PI)作為一種重要的絕緣薄膜材料,，其低介電化研究已成為研究熱點(diǎn),。許多高性能PI衍生物及其納米復(fù)合材料已被應(yīng)用于電子及航空航天領(lǐng)域，而制備多孔性PI薄膜是降低材料介電常數(shù)較為有效的方法之一,。

最近,，日本東北大學(xué)的研究人員探索了以兩種不同粒徑的二氧化硅微粒（MPs）作為模板，探索了制備多孔性薄膜的工藝,，成功制備了具有高孔隙率的PI薄膜,，并通過透射電子顯微成像技術(shù)（TEMT）清晰地觀察到了薄膜的三維（3D）多孔結(jié)構(gòu)。

來源：日本東北大學(xué)

研究人員考察了PI薄膜的介電性能與多孔結(jié)構(gòu),、孔隙率之間的關(guān)系，通過引入多孔結(jié)構(gòu),，薄膜的介電常數(shù)（ε）與普通PI薄膜相比顯著降低,。

來源：日本東北大學(xué)

研究結(jié)果表明，使用不同粒徑的二氧化硅MPs,，薄膜的孔隙率顯著增加(約10%),，進(jìn)一步降低了介電常數(shù)。

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