UV減粘膜又名UV失膠膠帶、UV減粘膠帶，UV膜是一種在特殊PO基材薄膜上涂UV高粘度膠水,。其顯示高勁粘接力（1200g~2000g）不等,，但是經(jīng)過紫外線照射后粘接力急劇下降型（5g~10g）甚至更低或無(wú)粘附力的特殊膠水做成的單面膠帶。

PO基材薄膜是由日本采用流延方法制得的未拉伸聚烯烴共聚物薄膜,，經(jīng)多重工藝而產(chǎn)出的一種新型基膜,。該基膜材質(zhì)柔軟，與市場(chǎng)上傳統(tǒng)PE膜及EVA膜比較優(yōu)勢(shì)突出,，有超強(qiáng)的拉伸強(qiáng)度及抗撕裂強(qiáng)度 采用納米技術(shù),，多工藝多結(jié)構(gòu)。其表面具備防水性,，另一表面防靜電暈處理,。無(wú)析出物，不易吸附灰塵,，達(dá)到長(zhǎng)久保持高透光的效果,。抗拉伸性強(qiáng),，切割時(shí)不起塵,，耐磨性能優(yōu)異等特點(diǎn)，重要的是還有紫外線防護(hù)效果,。是作為UV減粘膜（失粘膜）與OGS抗酸膜的主要基膜材料,。

目前國(guó)內(nèi)已有部分廠家開始研制但其效果還不太令市場(chǎng)滿意。所以大多減粘膜也還是停留在PET基材上,！PO基材是為晶片研磨,、切割、精細(xì)電子零件之承載加工和各種材質(zhì)的微小零件加工切割之用而設(shè)計(jì)的一款功能性基膜,。是目前各大中小型涂布廠作為UV減粘膜與抗酸膜等的理想選材,。

1、適用于硅晶片,、鋼化玻璃,、電子元器件、SMT元器件,、MLCC片式電容,，片式電感制程中的定位切割、PLC芯片,、晶圓等半導(dǎo)體的切割和制成工序保護(hù),，EMC或陶瓷基板的LED燈珠，QFN,，PCB,，封裝好的半導(dǎo)體芯片Package,，PLC元器件，光纖頭元器件,，晶圓 LDE芯片切割,，石英玻璃、 手機(jī)攝像頭玻璃,、 濾光片切割,、 QFN和DFN切割等；

2,、半導(dǎo)體晶片表面加工；電子及光電產(chǎn)業(yè)部件制作加工工程,；LCD和TP觸控面板玻璃減薄,，研磨拋光；LED切割研磨拋光,；藍(lán)寶石基板的薄化研磨制程,；晶片研磨、切割,、各種硅片,、封裝基板、陶瓷,、玻璃,、水晶精細(xì)電子零件等；

3,、PO抗酸膜適用于ITO玻璃,、COVER LENS玻璃蓋板化學(xué)強(qiáng)化酸液蝕刻工藝保護(hù)；

4,、其他需要高粘緊密貼合保護(hù),，后期需要易撕離的制程保護(hù)。

1：切割時(shí)高粘著力,，照射UV后粘度很低撿拾時(shí)晶片不飛散,，不殘膠。因?yàn)橛泻軓?qiáng)的黏著力來(lái)固定晶圓, 即使是小芯片也不會(huì)發(fā)生位移或剝除而能確實(shí)的切割,。

2：照射UV反應(yīng)時(shí)間快速,，有效提升工作效率，由紫外線照射能夠控制瞬間的黏著力, 即使是大芯片也可以用較輕的力能將產(chǎn)品拾起,。

3,、保持晶粒在切割中的完整，（無(wú)任何晶粒流失）減少切割中所產(chǎn)生的崩碎,。

4,、確保晶粒在正常傳送過程中,不會(huì)有位移,、掉落的情形，水不會(huì)滲入晶粒與膠帶之間,。

5,、Uv固化晶圓切割保護(hù)膜（的特點(diǎn)就是在uv固化前有普通保護(hù)膜所不能比的超高粘度（可以達(dá)到驚人的1500g-2000g gf/25mm） 在經(jīng)過uv紫外線照射之后粘度又可以變成超低粘的15g-20g。甚至更低粘力克數(shù),。

6,、另外還有一個(gè)特點(diǎn)就是PO基材具有極強(qiáng)的（橫縱向）延展性（elongation%）可以達(dá)到300 、600,。

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